新浪数码讯 6月23日上午消息，星或下周宣布芯片据韩联社报道，将于三星预计将于下周宣布量产3nm芯片。量产这意味着该公司至少在宣布时间上将领先台积电，星或下周宣布芯片后者预计将在今年下半年开始生产3nm芯片。将于

与三星的量产5nm工艺（用于骁龙 888 和 Exynos 2100）相比，三星的星或下周宣布芯片3nm节点将带来35%的面积减少、30% 的将于性能提升或 50% 的功耗降低。

这将通过切换到晶体管的量产全方位栅极 （GAA） 设计来实现。这是星或下周宣布芯片 FinFET 鳍式场效应晶体管之后的下一步，因为它允许代工厂缩小晶体管，将于而不会损害其承载电流的量产能力。

新工艺最大的星或下周宣布芯片担忧是产量。去年10月，将于三星表示其3nm工艺的量产良率“正在接近与4nm工艺相似的水平”。虽然该公司从未公布官方数据，但分析师认为，三星的4nm节点受到良率问题的困扰。

美国总统拜登上个月参观了三星位于平泽的工厂，参加了三星3nm技术的演示。去年有传言称，该公司可能会投资100亿美元在美国德克萨斯州建立一家3nm代工厂。该投资已增至170亿美元，该工厂预计将于2024年开始运营。